术语
NAND Flash
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NAND 闪存

NAND 闪存是一种非易失性存储技术,断电后仍能保留数据,因存储单元以串联方式布线形似 NAND 门而得名。它以电荷方式在浮栅或类似结构中保存比特,是 SSD、存储卡和 U 盘等设备的基础存储介质。

别名

NAND · NAND flash memory

定义

NAND 闪存是一种非易失性存储技术,断电后数据依然保留。它的存储单元以串联方式布线,结构形似 NAND 门,因此得名,是绝大多数固态存储的底层介质。

工作方式

NAND 以注入或移出浮栅/电荷俘获层中的电荷来表示比特:读写按“页”进行,擦除按大得多的“块”进行,且写入前必须先擦除。单元会随擦写次数磨损,因此主控需要磨损均衡与纠错编码(ECC)配合;为提升密度,业界又发展出 SLC、MLC、TLC、QLC 等在单个单元存储多比特的方案。

使用场景

SSD、手机内置存储、存储卡和 U 盘几乎都以 NAND 为介质;数据中心同样用 NAND 阵列承载数据库与虚拟化等高性能存储负载。

易混概念

SSD 是以 NAND 为介质、加上主控与接口后的成品设备,两者不在同一层面;RAID 与 NAS 则是在多块存储设备之上做冗余与共享的组织方式,与 NAND 的芯片层技术无关。

参考资料